Integrations- und Herstellungsverfahren von Cu-Germanid und Cu-Silizid als Abdeckschicht

EP2065927 Art B1 2. Oktober 2013

Anmelder: IMEC, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2065927
Aktenzeichen: EP08157374
Anmeldetag: 30. Mai 2008
Veröffentlichung: 2. Oktober 2013
Erteilung: 2. Oktober 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IMEC
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC)
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

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