Dram-Speicherzellen mit Reduziertem Leckstrom mit Vertikal Ausgerichteten Nanostäben
EP2067168
Art B1
12. August 2015
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2067168
- Aktenzeichen
- EP07838585
- Anmeldetag
- 20. September 2007
- Veröffentlichung
- 12. August 2015
- Erteilung
- 12. August 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242H01L27/108H01L29/06H01L29/78B82Y10/00H01L29/423// H01L29/786H01L51/05
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Fachgebiete
Vertreten von
Maury, Richard Philip
St. Albans, Großbritannien
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Patente gesamt
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Fachgebiete
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Collins, John David
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