Halbleiteranordnung mit Gekoppelten Sperrschicht- Feldeffekttransistoren
EP2067170
Art A1
10. Juni 2009
Anmelder: Infineon Technologies AG, SiCED Electronics Development GmbH & Co KG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2067170
- Aktenzeichen
- EP07820405
- Anmeldetag
- 20. September 2007
- Veröffentlichung
- 10. Juni 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/098H03K17/082H01L27/02H01L29/808
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
SiCED Electronics Development GmbH & Co KG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Bickel, Michael
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Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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Maier, Daniel Oliver
Siemens AG · München