Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2067173
Art A1
10. Juni 2009
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2067173
- Aktenzeichen
- EP07829068
- Anmeldetag
- 26. September 2007
- Veröffentlichung
- 10. Juni 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L21/822H01L27/04H01L27/10H01L27/12H01L27/112H01L27/105G11C17/16H01L23/525
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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