Verfahren zur Herstellung von n-leitendem und p-leitendem Chalcogenid-Homoübergangsdünnschichttransistor

EP2068368 Art B1 10. Oktober 2012

Anmelder: Electronics and Telecommunications Research Institute 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2068368
Aktenzeichen: EP08170842
Anmeldetag: 5. Dezember 2008
Veröffentlichung: 10. Oktober 2012
Erteilung: 10. Oktober 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L29/24H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Electronics and Telecommunications Research Institute
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 ETRI (Electronics and Telecommunications Research Institute)

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon. Forscht in Telekommunikation, Halbleitertechnik, künstlicher Intelligenz, Rundfunktechnik und Informations- und Kommunikationstechnologien.

3.041 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von