Transistor mit Lokalem Metallsilicidbereich in Kontaktbereichen und Verfahren zur Herstellung des Transistors
EP2070112
Art A2
17. Juni 2009
Anmelder: GLOBALFOUNDRIES Inc., ADVANCED MICRO DEVICES, INC., Advanced Micro Devices, Inc. 🇰🇾
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2070112
- Aktenzeichen
- EP07837528
- Anmeldetag
- 29. August 2007
- Veröffentlichung
- 17. Juni 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L21/285H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- GLOBALFOUNDRIES Inc.
ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Advanced Micro Devices, Inc. - Land
- 🇰🇾 KY
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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