Verfahren zur Förderung der Haftfestigkeit zwischen der Nickel- oder der Nickellegierungsschicht und einem anderen Metal oder einem Dielektrikum, wie in das Herstellungsverfahren der Schaltplatte der Halbleiterbauelemente
EP2072639
Art A1
24. Juni 2009
Anmelder: Rohm and Haas Electronic Materials LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2072639
- Aktenzeichen
- EP08171570
- Anmeldetag
- 12. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 24. Juni 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23F1/28C23F1/44H01L21/3213H01L23/495H05K3/06H05K3/38C25D5/40C25F3/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm and Haas Electronic Materials LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Rohm and Haas
Ehemaliger US-amerikanischer Spezialchemiekonzern mit Sitz in Philadelphia, unter anderem für Kunststoffe, Beschichtungen und Elektronikchemikalien bekannt. Wurde 2009 von Dow Chemical übernommen.
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Vertreten von
Kent, Venetia Katherine
Paris, Frankreich
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