Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit mehreren Gates und nach diesem Verfahren hergestellte Vorrichtung

EP2073267 Art A1 24. Juni 2009

Anmelder: IMEC VZW, IMEC, INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM vzw (IMEC) 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2073267
Aktenzeichen: EP08153677
Anmeldetag: 29. März 2008
Veröffentlichung: 24. Juni 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/12H01L21/84

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: IMEC VZW
IMEC
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM vzw (IMEC)
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

2.629 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von