Nicht Flüchtige Speicherzelle mit Doppelschwellenspannung auf Basis mehrerer Transistoren
EP2074649
Art A2
1. Juli 2009
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2074649
- Aktenzeichen
- EP07826550
- Anmeldetag
- 26. September 2007
- Veröffentlichung
- 1. Juli 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/792G11C16/04H01L21/8247H01L27/115H01L21/28H01L29/788
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Schouten, Marcus Maria
Eindhoven, Niederlande
3.201
Patente gesamt
30
Fachgebiete
16
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Röggla, Harald
NoneWien