Tunnel-Feldeffekttransistor
EP2074662
Art A1
1. Juli 2009
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2074662
- Aktenzeichen
- EP07826637
- Anmeldetag
- 3. Oktober 2007
- Veröffentlichung
- 1. Juli 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/739H01L29/165H01L29/201
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Crawford, Andrew
Nijmegen, Niederlande
618
Patente gesamt
20
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Burton, Nick
Murgitroyd & Company · Leeds