Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid
EP2075232
Art B1
23. Januar 2013
Anmelder: National Institute for Materials Science, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2075232
- Aktenzeichen
- EP08254109
- Anmeldetag
- 22. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 23. Januar 2013
- Erteilung
- 23. Januar 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C01B31/36C04B35/571
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- National Institute for Materials Science
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
828 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
1.545 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Hallybone, Huw George
London, Großbritannien
2.119
Patente gesamt
33
Fachgebiete
28
Anmelder-Länder
Schwerpunkte