Halbleitervorrichtung mit geteiltem Kontaktloch für Gate-Elektrode und Drain-Gebiet
EP2075831
Art A3
1. September 2010
Anmelder: Renesas Electronics Corporation, Renesas Technology Corp. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2075831
- Aktenzeichen
- EP08254137
- Anmeldetag
- 23. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 1. September 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8239H01L21/8244H01L27/02H01L27/105H01L27/11H01L21/768H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Renesas Electronics Corporation
Renesas Technology Corp. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
1.103 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Calderbank, Thomas Roger
London, Großbritannien
1.660
Patente gesamt
34
Fachgebiete
19
Anmelder-Länder
Schwerpunkte