Verfahren zum Scheiden eines Wafers mit darauf geformten Halbleiterelementen und dazugehörendes Bauteil
EP2075840
Art B1
27. August 2014
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2075840
- Aktenzeichen
- EP08022051
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 27. August 2014
- Erteilung
- 27. August 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/146H01L21/78H01L21/77
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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