Siliziumcarbid-Halbleiterbauelement und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP2075847
Art A1
1. Juli 2009
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, National Institute Of Advanced Industrial Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2075847
- Aktenzeichen
- EP07807245
- Anmeldetag
- 13. September 2007
- Veröffentlichung
- 1. Juli 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/08H01L21/04// H01L29/24H01L29/10
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
National Institute Of Advanced Industrial Science - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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Calamita, Roberto
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