Verfahren zur Herstellung von gereinigten, für epitaxiales Wachstum geeigneten Substraten
EP2077576
Art A1
8. Juli 2009
Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2077576
- Aktenzeichen
- EP08305001
- Anmeldetag
- 4. Januar 2008
- Veröffentlichung
- 8. Juli 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/306
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
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Hart-Davis, Jason
Paris, Frankreich
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