Zusammensetzung zur Bildung eines Oberschichtfilms und Verfahren zur Bildung einer Fotoresiststruktur

EP2078983 Art B1 4. Januar 2012

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2078983
Aktenzeichen: EP07829596
Anmeldetag: 11. Oktober 2007
Veröffentlichung: 4. Januar 2012
Erteilung: 4. Januar 2012
Rechtsraum: EP
IPC: G03F7/11H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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