1-Transistor-Dram-Zellenstruktur und Herstellungsverfahren
EP2080217
Art A1
22. Juli 2009
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2080217
- Aktenzeichen
- EP07841573
- Anmeldetag
- 30. August 2007
- Veröffentlichung
- 22. Juli 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/336H01L29/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
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