Verfahren zum Ätzen einer Strukturschicht zur Bildung Abgestufter Höhen Darin und Strukturen eines Zwischenhalbleiterbauelements
EP2080218
Art A1
22. Juli 2009
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2080218
- Aktenzeichen
- EP07864241
- Anmeldetag
- 9. November 2007
- Veröffentlichung
- 22. Juli 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/308H01L21/033H01L21/8242
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Fachgebiete
Kanzlei
Carpmaels & Ransford LLP
Carpmaels & Ransford gehört zu den ältesten IP-Kanzleien überhaupt und geht auf eine 1776 gegründete Patentagentur zurück. Von London, München und Dublin aus führt sie als eine der wenigen Häuser Parallelverfahren vor EPA, UPC und britischen Gerichten aus einem Team.
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