Feldeffekttransistor mit einer Boraluminiumnitrid-Diamantheterostruktur
EP2082431
Art B1
28. März 2012
Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2082431
- Aktenzeichen
- EP07852863
- Anmeldetag
- 19. Oktober 2007
- Veröffentlichung
- 28. März 2012
- Erteilung
- 28. März 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/267H01L29/778
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Raytheon Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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Richardson, Julie Kate
London, Großbritannien
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