Vorrichtung zur Herstellung eines Halbleiter-Einkristall und Verwendungsverfahren dafür
EP2083098
Art B1
31. Dezember 2014
Anmelder: Siltron Inc. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2083098
- Aktenzeichen
- EP09150893
- Anmeldetag
- 20. Januar 2009
- Veröffentlichung
- 31. Dezember 2014
- Erteilung
- 31. Dezember 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B15/30C30B29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltron Inc.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
Fachgebiete
Vertreten von
Habermann, Gert
München, Deutschland
34
Patente gesamt
17
Fachgebiete
9
Anmelder-Länder
Schwerpunkte