Siliziumcarbidhalbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2083448
Art A1
29. Juli 2009
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2083448
- Aktenzeichen
- EP07831361
- Anmeldetag
- 7. November 2007
- Veröffentlichung
- 29. Juli 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/04H01L29/78H01L29/04H01L21/02// H01L29/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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