Verfahren zur epitaktischen Abscheidung von einkristallinen III-V Halbleitermaterial
EP2083935
Art B1
22. Februar 2012
Anmelder: Soitec, S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2083935
- Aktenzeichen
- EP07873617
- Anmeldetag
- 15. November 2007
- Veröffentlichung
- 22. Februar 2012
- Erteilung
- 22. Februar 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/40C30B25/02C30B25/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Regimbeau · Rennes