Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmtransistors unter Verwendung eines Oxidhalbleiters

EP2084749 Art A1 5. August 2009

Anmelder: Canon Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2084749
Aktenzeichen
EP07831964
Anmeldetag
9. November 2007
Veröffentlichung
5. August 2009
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/786
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Canon Kabushiki Kaisha
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Canon

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.

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