Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmtransistors unter Verwendung eines Oxidhalbleiters
EP2084749
Art A1
5. August 2009
Anmelder: Canon Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2084749
- Aktenzeichen
- EP07831964
- Anmeldetag
- 9. November 2007
- Veröffentlichung
- 5. August 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Canon Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Canon
Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
Weser, Thilo
München, Deutschland
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2
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