Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung
EP2086010
Art A1
5. August 2009
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2086010
- Aktenzeichen
- EP08253737
- Anmeldetag
- 14. November 2008
- Veröffentlichung
- 5. August 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/10H01L29/778// H01L29/20H01L29/207
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
Maury, Richard Philip
St. Albans, Großbritannien
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