Verfahren zur Herstellung eines Kontakts auf der Hinterseite eines Chips
EP2087508
Art A1
12. August 2009
Anmelder: North Star Innovations Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2087508
- Aktenzeichen
- EP07843360
- Anmeldetag
- 27. September 2007
- Veröffentlichung
- 12. August 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/48// H01L25/065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- North Star Innovations Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
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24
Fachgebiete
10
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse