Siliziumcarbidhalbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2088628
Art A1
12. August 2009
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2088628
- Aktenzeichen
- EP07832020
- Anmeldetag
- 16. November 2007
- Veröffentlichung
- 12. August 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/04H01L29/78H01L29/04H01L29/24H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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