Verfahren zur Herstellung eines Fet-Gates
EP2089898
Art A1
19. August 2009
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2089898
- Aktenzeichen
- EP07826871
- Anmeldetag
- 25. Oktober 2007
- Veröffentlichung
- 19. August 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Crawford, Andrew
Nijmegen, Niederlande
618
Patente gesamt
20
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Williamson, Paul Lewis
NoneEindhoven