Verfahren zur Herstellung einer Halbleitersubstratoberfläche
EP2091070
Art A1
19. August 2009
Anmelder: Soitec, S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies, S.O.I. TEC Silicon 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2091070
- Aktenzeichen
- EP08290138
- Anmeldetag
- 13. Februar 2008
- Veröffentlichung
- 19. August 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies
S.O.I. TEC Silicon - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
801 Patente in unserer Datenbank
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
323 Patente in unserer Datenbank