Verfahren zur Herstellung einer Halbleitersubstratoberfläche

EP2091070 Art A1 19. August 2009

Anmelder: Soitec, S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies, S.O.I. TEC Silicon 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2091070
Aktenzeichen: EP08290138
Anmeldetag: 13. Februar 2008
Veröffentlichung: 19. August 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies
S.O.I. TEC Silicon
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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