Doppelstrukturierung für die Lithographie zur Vergrösserung der Räumlichen Strukturelementedichte
EP2092393
Art A2
26. August 2009
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2092393
- Aktenzeichen
- EP07849107
- Anmeldetag
- 13. November 2007
- Veröffentlichung
- 26. August 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F7/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
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