Verfahren, Vorrichtung und Absperrventil für die Herstellung von Einkristallinen Gruppe Iii-V Halbleiter Material
EP2094406
Art B1
14. Oktober 2015
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2094406
- Aktenzeichen
- EP07874518
- Anmeldetag
- 16. November 2007
- Veröffentlichung
- 14. Oktober 2015
- Erteilung
- 14. Oktober 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B08B5/00C23C16/30C30B25/14C23C16/44C30B29/40C23C16/48C23C16/54H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
Patente gesamt
32
Fachgebiete
21
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Schwerpunkte
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes