Verfahren zum Betreiben eines Nanodraht-Feldeffekttransistorsensors
EP2095100
Art B1
21. September 2016
Anmelder: President and Fellows of Harvard College, The President and Fellows of Harvard College 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2095100
- Aktenzeichen
- EP07873479
- Anmeldetag
- 19. November 2007
- Veröffentlichung
- 21. September 2016
- Erteilung
- 21. September 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01N27/414
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- President and Fellows of Harvard College
The President and Fellows of Harvard College - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Harvard University
US-amerikanische Elite-Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts. Harvard betreibt Forschung und Patentierung in zahlreichen Feldern, insbesondere Biotechnologie, Medizin, Life Sciences und Materialwissenschaften.
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Wiedemann, Peter
München, Deutschland
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Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München