Spannungsverstärkter Mos-Transistor und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP2095408
Art B1
18. August 2010
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., Advanced Micro Devices, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2095408
- Aktenzeichen
- EP07867476
- Anmeldetag
- 16. November 2007
- Veröffentlichung
- 18. August 2010
- Erteilung
- 18. August 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Advanced Micro Devices, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Brookes IP
Brookes IP · Tunbridge Wells
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Brookes Batchellor LLP
Brookes Batchellor LLP · London