Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Auf-Isolator-Struktur
EP2095415
Art B1
27. Oktober 2010
Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2095415
- Aktenzeichen
- EP06842379
- Anmeldetag
- 26. Dezember 2006
- Veröffentlichung
- 27. Oktober 2010
- Erteilung
- 27. Oktober 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
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Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
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