Verfahren zur Herstellung von Öffnungen in einem Substrat, insbesondere von Durchgangslöchern durch ein Substrat
EP2095416
Art B1
16. März 2011
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2095416
- Aktenzeichen
- EP07849394
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2007
- Veröffentlichung
- 16. März 2011
- Erteilung
- 16. März 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L21/3065H01L23/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Schouten, Marcus Maria
Eindhoven, Niederlande
3.201
Patente gesamt
30
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
van der Veer, Johannis Leendert
NoneEindhoven