Schaltungsanordnung zur Steuerung eines Spannungsseitigen Cmos-Transistors in einem Hochspannungs-Deep-Submikron-Prozess
EP2095509
Art A1
2. September 2009
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2095509
- Aktenzeichen
- EP07849157
- Anmeldetag
- 15. November 2007
- Veröffentlichung
- 2. September 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K19/003H03K19/0185
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
von Laue, Hanns-Ulrich
NoneAachen