Schaltungsanordnung zur Steuerung eines Spannungsseitigen Cmos-Transistors in einem Hochspannungs-Deep-Submikron-Prozess

EP2095509 Art A1 2. September 2009

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2095509
Aktenzeichen
EP07849157
Anmeldetag
15. November 2007
Veröffentlichung
2. September 2009
Rechtsraum
EP
IPC
H03K19/003H03K19/0185
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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