Verfahren zur Herstellung einer Siliziumcarbid-Halbleiteranordnung

EP2096669 Art A1 2. September 2009

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2096669
Aktenzeichen: EP07792460
Anmeldetag: 13. August 2007
Veröffentlichung: 2. September 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/324H01L21/265H01L21/337H01L29/808

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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