Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Halbleiterlasers
EP2099104
Art A2
9. September 2009
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2099104
- Aktenzeichen
- EP09003236
- Anmeldetag
- 5. März 2009
- Veröffentlichung
- 9. September 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01S5/343// H01S5/02H01S5/20H01S5/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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