Siliciumnitridsubstrat, Herstellungsverfahren dafür und Siliciumnitrid-Leiterplatte und Halbleitermodul damit
EP2100865
Art B1
10. Februar 2016
Anmelder: Hitachi Metals, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2100865
- Aktenzeichen
- EP09154697
- Anmeldetag
- 10. März 2009
- Veröffentlichung
- 10. Februar 2016
- Erteilung
- 10. Februar 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C04B35/593H01L23/15H01L23/373
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi Metals, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Proterial
Japanisches Unternehmen (frühere Firmierung Hitachi Metals), das Spezialstähle, Magnetwerkstoffe und Metallkomponenten für Industrie und Automobilbau herstellt.
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Kanzlei
SR Huebner PatentanwaltsG mbH
München, Deutschland
SR Huebner ging als Ausgründung aus dem Max-Planck-Institut für internationales Patent-, Urheber- und Wettbewerbsrecht hervor. Über die Hälfte der Verfahren betrifft Länder außerhalb Europas wie USA, Japan und China, mit Standorten in München und Mannheim.
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