Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit monokristalliner Schicht
EP2100989
Art B1
28. März 2012
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2100989
- Aktenzeichen
- EP09250519
- Anmeldetag
- 26. Februar 2009
- Veröffentlichung
- 28. März 2012
- Erteilung
- 28. März 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B19/12C30B25/18C30B23/00C30B33/02C30B33/06C30B31/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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Fachgebiete
Vertreten von
Harding, Charles Thomas
London, Großbritannien
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