Verfahren zur Herstellung eines Nitridhalbleiters, Mittel zur Erhöhung der Kristallwachstumsrate, Nitrideinkristall, Wafer und Vorrichtung
EP2100990
Art A1
16. September 2009
Anmelder: Mitsubishi Chemical Corporation, Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2100990
- Aktenzeichen
- EP07829477
- Anmeldetag
- 10. Oktober 2007
- Veröffentlichung
- 16. September 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/38C30B7/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Mitsubishi Chemical Corporation
Tohoku University - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.
2.926 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
837 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Naylor, Matthew John
London, Großbritannien
1.221
Patente gesamt
34
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Ter Meer Steinmeister & Partner
Ter Meer Steinmeister & Partner · München