Verfahren zum Herstellen eines Gemischten Substrats
EP2102903
Art A1
23. September 2009
Anmelder: Soitec, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, Commissariat à l'Energie Atomique 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2102903
- Aktenzeichen
- EP07857491
- Anmeldetag
- 12. Dezember 2007
- Veröffentlichung
- 23. September 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Commissariat à l'Energie Atomique - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
529 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Bomer, Françoise Marie
Saint-Grégoire, Frankreich
76
Patente gesamt
17
Fachgebiete
4
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Regimbeau
Regimbeau · Rennes