Verfahren zum Bilden von Mehrschichtelektrodenstrukturen für Siliziumphotovoltaikelemente

EP2105969 Art B1 11. April 2018

Anmelder: Palo Alto Research Center Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2105969
Aktenzeichen: EP09152572
Anmeldetag: 11. Februar 2009
Veröffentlichung: 11. April 2018
Erteilung: 11. April 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/0224H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Palo Alto Research Center Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Palo Alto Research Center

US-amerikanisches Forschungsinstitut in Palo Alto, bekannt als PARC, das für Xerox und externe Auftraggeber Grundlagen- und angewandte Forschung in Informatik, Elektronik und Materialwissenschaften betreibt.

858 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von