Nitrid-Halbleiterelement mit Trägersubstrat und dessen Herstellungsverfahren
EP2105977
Art B1
25. Juni 2014
Anmelder: Nichia Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2105977
- Aktenzeichen
- EP09165592
- Anmeldetag
- 27. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 25. Juni 2014
- Erteilung
- 25. Juni 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nichia Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nichia
Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.
967 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Delumeau, François Guy
Paris, Frankreich
1.043
Patente gesamt
32
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Joly, Jean-Jacques
NoneParis