Oberflächenaufrauungsverfahren
EP2109583
Art A1
21. Oktober 2009
Anmelder: Soitec, S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2109583
- Aktenzeichen
- EP08702248
- Anmeldetag
- 10. Januar 2008
- Veröffentlichung
- 21. Oktober 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81C1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Vertreten von
Ilgart, Jean-Christophe
Paris, Frankreich
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