Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichthalbleiterbauelements und Dünnschichthalbleiterbauelement
EP2110856
Art A1
21. Oktober 2009
Anmelder: Sony Corporation, Riken 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2110856
- Aktenzeichen
- EP08710726
- Anmeldetag
- 28. Januar 2008
- Veröffentlichung
- 21. Oktober 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L21/336H01L51/05
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sony Corporation
Riken - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sony Group
Japanischer Technologie- und Unterhaltungskonzern mit Sitz in Tokio. Sony entwickelt Unterhaltungselektronik, Bildsensoren, Spielesysteme sowie Musik- und Filmangebote.
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🇯🇵
RIKEN
Japanische staatliche Forschungseinrichtung mit Sitz in Wako bei Tokio, aktiv in Physik, Chemie, Biologie und Ingenieurwissenschaften mit zahlreichen Forschungszentren.
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