RAM-Speicher mit programmierbaren Leiterelementen und Verfahren zur Programmierung
EP2112664
Art B1
28. März 2012
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2112664
- Aktenzeichen
- EP09010432
- Anmeldetag
- 16. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 28. März 2012
- Erteilung
- 28. März 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/34G11C7/12G11C13/02G11C13/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Maury, Richard Philip
St. Albans, Großbritannien
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