RAM-Speicher mit programmierbaren Leiterelementen und Verfahren zur Programmierung

EP2112664 Art B1 28. März 2012

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2112664
Aktenzeichen
EP09010432
Anmeldetag
16. Dezember 2002
Veröffentlichung
28. März 2012
Erteilung
28. März 2012
Rechtsraum
EP
IPC
G11C11/34G11C7/12G11C13/02G11C13/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen