Zno-Halbleiterelement
EP2112695
Art A1
28. Oktober 2009
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2112695
- Aktenzeichen
- EP08710768
- Anmeldetag
- 4. Februar 2008
- Veröffentlichung
- 28. Oktober 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/47H01L21/338H01L29/22H01L29/778H01L29/812H01L29/861H01L29/872H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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Fachgebiete
Vertreten von
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TBK-Patent · München