Verfahren zur Herstellung eines Nitridhalbleiterlasers, Herstellungsverfahren für einen Epitaxial-Wafer, sowie Nitridhalbleiterlaser

EP2112729 Art B1 10. Dezember 2014

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2112729
Aktenzeichen: EP09158600
Anmeldetag: 23. April 2009
Veröffentlichung: 10. Dezember 2014
Erteilung: 10. Dezember 2014
Rechtsraum: EP
IPC: H01S5/343// H01L33/00H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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