Laserbestrahlungsmethode, Laserbestrahlungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer kristallinen Halbleiter-Schicht

EP2113805 Art B1 27. Juni 2012

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2113805
Aktenzeichen: EP09010674
Anmeldetag: 21. April 2005
Veröffentlichung: 27. Juni 2012
Erteilung: 27. Juni 2012
Rechtsraum: EP
IPC: B23K15/00B23K15/10B23K26/073G02B27/09

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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