Gruppe III-Nitrid-Kristallsubstrat und Verfahren zu seiner Oberflächenbehandlung, Gruppe III-Nitrid-Stapel und Verfahren zu seiner Herstellung, und Gruppe III-Nitrid-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP2113938
Art A3
19. Oktober 2011
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2113938
- Aktenzeichen
- EP09005116
- Anmeldetag
- 7. April 2009
- Veröffentlichung
- 19. Oktober 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/304H01L21/306C30B33/00C30B29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
11.186 Patente in unserer Datenbank